多維科技推出高靈敏度200nA全極TMR磁開關傳感器芯片 - 行業資訊 - 傳感器知識庫
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多維科技推出高靈敏度200nA全極TMR磁開關傳感器芯片

發布日期:2019年06月18日    瀏覽次數:359

多維科技推出200nA高靈敏度全極TMR磁開關傳感器芯片.pdf


中國江蘇省張家港市2019年6月18日電 江蘇多維科技有限公司日前推出納安級低功耗、高靈敏度和寬溫區的TMR磁開關傳感器芯片TMR1366,其主要特點包括,200nA功耗,7/5 Gs開啟點/釋放點,50Hz頻率響應,-40~125℃工作溫度范圍,良好的抗外磁場干擾特性,SOT23-3或TO-92S封裝。

 

TMR1366是納安級低功耗TMR磁開關傳感器芯片系列產品的最新組成部分。TMR1366/TMR1162/TMR1262/TMR1362磁開關傳感器芯片的用途包括智能流量計、接近開關、無線門禁、智能藥丸和便攜式智能醫藥器具等靠電池供電的磁傳感器應用。

 1366


納安級低功耗TMR磁開關傳感器芯片系列產品選型表

1366選型

多維科技的磁傳感器芯片產品系列包括TMR磁開關傳感器芯片、TMR線性磁場傳感器芯片、TMR磁性角度傳感器芯片、TMR磁性齒輪傳感器芯片,磁傳感器模組產品系列包括TMR磁特征檢測傳感器模組(金融磁頭)、TMR磁圖像傳感器模組、TMR齒輪編碼器模組、TMR旋轉編碼器模組、TMR電流傳感器模組、TMR液位傳感器模組、USB磁強計模組(高斯計)、AGV磁導航傳感器模組、非接觸式線性位移傳感器模組等。

 

多維科技(MDT?)簡介

MDT創立于2010年,總部設在中國江蘇省張家港,在中國北京、成都、寧波、日本大阪和美國加利福尼亞州圣何塞設有分公司。MDT擁有多項獨特的專利技術和先進的制造能力,可批量生產高性能、低成本的磁傳感器以滿足嚴格的應用需求。MDT核心管理團隊由磁傳感器技術和工程服務領域的業內精英和資深專家組成。在核心團隊的帶領下,MDT致力于為客戶帶來更多附加值,并確保他們的成功。有關MDT詳情,請訪問:www.gvntqr.live。

 

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消息來源:江蘇多維科技有限公司


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